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SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)

簡要描述:SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)
石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì):
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm(p摻雜)SiO2/Si晶片上
尺寸:1cmx1cm; 8片裝
每個薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的覆蓋率約為98%
薄膜是連續(xù)的,有小孔和有機(jī)殘留物
高結(jié)晶質(zhì)量
石墨烯薄膜預(yù)先單層(超過95%),偶爾有少量多層(雙層小于5%)

  • 更新時間:2024-06-03
  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量:1396

詳細(xì)介紹

基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)

石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì):
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm(p摻雜)SiO2/Si晶片上

尺寸:1cmx1cm; 8片裝
每個薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的覆蓋率約為98%
薄膜是連續(xù)的,有小孔和有機(jī)殘留物
高結(jié)晶質(zhì)量
石墨烯薄膜預(yù)先單層(超過95%),偶爾有少量多層(雙層小于5%)
薄層電阻:430-800Ω/平方

石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長,然后轉(zhuǎn)移到SiO2/Si晶片上。

硅/二氧化硅晶圓的特性:
氧化層厚度:285nm
顏色:紫羅蘭色
晶圓厚度:525微米
電阻率:0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑:P /硼
方向:<100>
前表面:拋光
背面:蝕刻



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