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SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜

簡要描述:基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上
尺寸:1cmx1cm; 8片
將每個石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98%
石墨烯薄膜是連續(xù)的,具有小孔和有機殘留物
每個石墨烯薄膜主要是單層(超過95%),偶爾有少量多層(低于5%的雙層)
由于沒有A-B堆疊

  • 更新時間:2024-06-04
  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量:1338

詳細(xì)介紹

基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移  到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上
尺寸:1cmx1cm; 8片
將每個石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98%
石墨烯薄膜是連續(xù)的,具有小孔和有機殘留物
每個石墨烯薄膜主要是單層(超過95%),偶爾有少量多層(低于5%的雙層)
由于沒有A-B堆疊順序。石墨烯薄膜彼此隨機取向。
薄層電阻:215-700Ω/平方

硅/二氧化硅晶圓的特性:
氧化層厚度:285nm
顏色:紫羅蘭色
晶圓厚度:525微米
電阻率:0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑:P /硼
方向:<100>
前表面:拋光
背面:蝕刻

應(yīng)用:
石墨烯電子和晶體管
導(dǎo)電涂料
航空航天工業(yè)應(yīng)用
支持金屬催化劑
微執(zhí)行器
MEMS和NEMS
化學(xué)和生物傳感器
基于石墨烯的多功能材料
石墨烯研究


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