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二硒化錸晶體 ReSe2(Rhenium Selenide) 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：n型半導體 晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.658 nm, b = 0.670 nm, c = 0.672 nm, α = 91.75°, β = 105°, γ = 118.9° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硒化錫晶體 SnSe2 (Tin Selenide) 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硒化鉭晶體 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide) 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：Metal, Charge density waves (CDW) system at ~120K, Superconductor (Tc ~0.1K) 金屬，電荷密度波（CDW） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.342 nm, c = 1.2

硒化鈦 1T-TiSe2(Titanium Selenide) 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半金屬，電荷密度波（CDW） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.354 nm, c = 0.601 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硒化釩晶體 VSe2 (Vanadium Diselenide) 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：金屬，電荷密度波（CDW） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%

二硒化鎢晶體 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：半導體，P型 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%