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硫化鎵晶體

簡要描述:硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide)
晶體尺寸:~10毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

  • 更新時間:2024-06-02
  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量:1937

詳細介紹

硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide)
晶體尺寸:~10毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%


X-ray diffraction on a GaS single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Stoichiometric analysis of a single crystal alpha phase GaS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


Raman spectrum of a single crystal GaS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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